湖南晶振与钟振

晶振与匹配电容的经验总结，匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2、负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3、一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。晶振的国产替代，下游应用驱动，晶振市场回暖。湖南晶振与钟振

移动终端：预计2022年国内手机厂商对晶振需求量达35.2亿颗5G带动新一波换机需求。IDC预测，2019年全球手机出货量为13.7亿部（2019年出货预计同比减少2.2%），而国内手机市场占据约30%的份额。根据中国信通院数据显示，2019年国内手机市场总体出货量为3.89亿部，同比下降6.2%。虽然目前国内手机行业已呈现饱和状态，但2020年5G商用将带动新一波换机需求，国内智能手机市场有望回暖。个手机配置的晶振数量及价值不断提升。（1）按键手机中石英晶振需2-3 颗，分别为32.768KHZ 圆柱直插晶振、49S晶振和一款5032（5.0*3.2mm）贴片晶振；（2）4G智能手机则需配置约5-6颗晶振，分别为时间显示所用的为32.768KHz晶振,蓝牙模块上16MHz贴片晶振，数据传输所用的高频圆柱直插晶振，NFC模块中使用的13.56MHz贴片晶振，以及根据手机CPU运行温度进行变更频率的26MHz 温补晶振等；（4）5G手机预计要配置6-10颗晶振，优先方案为频率为76.8MHz或者96MHz、负载电容为8-12pf的小尺寸2.0*1.6mm晶振。单个手机配置的晶振价值量不断提升。贵州晶振电容智能制造设备+国产晶振产业链基地”项目将落户青岛莱西。

晶振是现在电器里面几乎不可缺的部件，重要性大家知道，不必细说。利用晶体压电效应，**常用打火机，就是利用晶体压电效应，及煤气炉里的点火器都是利用晶体压电效应。压电效应：某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当外力去掉后，它又会恢复到不带电的状态，这种现象称为正压电效应。当作用力的方向改变时，电荷的极性也随之改变。相反，当在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变形随之消失，这种现象称为逆压电效应。当在两端施加一定交流电，晶体会做周期振动.当电压达到某个频率后,晶体振动强度达到比较大。这个频率就是晶振的谐振频率，这个频率不是固定的，随晶振切片大小而不同，当晶体切片完成后，这个频率就固定下来了。我们常说8M、6M就是这个在电路上常作选频元件与相关电路一起组成振荡器。晶振等效电路网上很多，这里不作班门弄斧。

简单晶体振荡器(XO)这是很基本的类型，其稳定度完全由晶体谐振器本身的固有特性决定。在MHz范围内的较高频率晶体由石英棒制成，其制造方式是即使环境温度在-55℃至+125℃(-67°F至+257°F)之间变化，也可提供相对稳定的频率。即使在这么宽的温度范围内，适当切割的石英晶体也可实现±25ppm的稳定度。与诸如随温度变化可达1%(10,000ppm)或更高的LC振荡电路等其它被动谐振器相较，晶体振荡器的性能已大幅提升了。但对于某些应用来说，即使25ppm也不够好，因此必须采用额外措施。你知道晶振的主要参数以及工作原理吗？

晶振的更换判断出晶振有问题如何更换？首先频率要相同有没有误差呢？同电阻电容一样也有误差,一般用PPM，百万分之一，举例6Mhz+/-50PPM，频率范围在5999700-6000300内都是正常的，代换时如果电路对时间要求不是很严格，可以不用考虑这个问题。第二驱动功率有些IC驱动电压低，换用驱动功率高的晶体不易起振，有些起振后，幅度过低不稳定，比较好换驱动功率低的，容易起振电路稳定，之前曾遇到过这样的问题。有线线路一碰晶振，就停止振荡，怎么办？可以尝试把晶振外壳接地，或换有源晶振。有人会问无源晶振两只脚，有源晶振3只或许4只脚如何代换把有源有源晶振信号输出脚接CPU振荡信号输入脚，任何事情都有例外，有的CPU接振荡信号输出脚也可以，这都是本人亲身经历过的。第三温度系数，对于民用产品影响不大，可以不用考虑晶振的选型考量和失效分析。上海晶振是什么

选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。湖南晶振与钟振

石英晶体硬度及理化性质稳定，频率基本不随温度变化，由此产生的内部振荡损失也很小，非常适合精密制造。同时，区别于传统的机械式加工生产方式，改良的制程更便于批量生产，可以在保证小型化的同时把偏差控制在很小限度内，从而使产品具备小型化、低耗电、高稳定、高频率的优势。应用MEMS技术的微型化产品与传统机械加工生产的晶振前端工艺区别为：1）微型化产品切割环节不是一次性切割成为单个音叉晶体单元，而是首先切割成可以分隔上千支晶片单元的大方片；2）音叉晶片及电极成型环节采用双面光刻工艺，在WAFER片上进行光刻、金属蒸镀、激光调频等集成处理，单个音叉单元尺寸极小。湖南晶振与钟振

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